光刻曝光系统的现状及发展

巩岩; 张巍

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光刻曝光系统的现状及发展

巩岩 , 张巍

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巩岩, 张巍. 光刻曝光系统的现状及发展[J]. 中国光学, 2008, 1(1): 25-35.

引用本文:

巩岩, 张巍. 光刻曝光系统的现状及发展[J]. 中国光学, 2008, 1(1): 25-35.

GONG Yan, ZHANG Wei. Present status and progress in 193 nm exposure[J]. Chinese Optics, 2008, 1(1): 25-35.

Citation:

GONG Yan, ZHANG Wei. Present status and progress in 193 nm exposure[J]. Chinese Optics, 2008, 1(1): 25-35.

光刻曝光系统的现状及发展

巩岩,
张巍

1.
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室

详细信息

通讯作者: 巩岩

中图分类号: TN305.7

Present status and progress in 193 nm exposure

GONG Yan,
ZHANG Wei

1.
State Key Laboratory of Applied Optics,Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,Chinese Academy of Sciences

摘要: 投影曝光工艺是集成电路制造过程中的关键环节，曝光系统的工艺水平已成为衡量微电子制造技术的重要标志。重点介绍了目前193 nm光刻设备曝光系统的发展现状和趋势，以及为提高曝光质量所采用的相关分辨率增强技术；通过分析曝光系统的构成和其中的关键技术，探讨了国内研制相关曝光设备所面临的挑战。
- 投影光刻 /
- 曝光系统 /
- 分辨率增强 /
- 照明 /
- 投影物镜 /
- 综述
Abstract: Lithographic exposure is the key process in the manufacture of integrated circuit, and the performance of exposure system decides the level of microelectronic manufacture technology. In this paper, the present status and progress in 193 nm exposure system are described. The resolution enhancement technologies widely used in 193 nm lithography, such as offaxis illumination, phase shifting mask and optical proximity correction, are also introduced. By showing the composition and key technologies of the exposure system, the challenges in development of lithography instrument are discussed.
- projection lithography /
- exposure system /
- resolution enhancement technology /
- illumination /
- projection lens /
- review

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光刻曝光系统的现状及发展

巩岩,
张巍

1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室

通讯作者: 巩岩

收稿日期: 2008-04-20
修回日期: 2008-07-14
刊出日期: 2008-12-01

中图分类号: TN305.7

关键词:

照明 /

摘要: 投影曝光工艺是集成电路制造过程中的关键环节，曝光系统的工艺水平已成为衡量微电子制造技术的重要标志。重点介绍了目前193 nm光刻设备曝光系统的发展现状和趋势，以及为提高曝光质量所采用的相关分辨率增强技术；通过分析曝光系统的构成和其中的关键技术，探讨了国内研制相关曝光设备所面临的挑战。

English Abstract

巩岩, 张巍. 光刻曝光系统的现状及发展[J]. 中国光学, 2008, 1(1): 25-35.

引用本文:

巩岩, 张巍. 光刻曝光系统的现状及发展[J]. 中国光学, 2008, 1(1): 25-35.

GONG Yan, ZHANG Wei. Present status and progress in 193 nm exposure[J]. Chinese Optics, 2008, 1(1): 25-35.

Citation:

GONG Yan, ZHANG Wei. Present status and progress in 193 nm exposure[J]. Chinese Optics, 2008, 1(1): 25-35.

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通讯作者: 巩岩

Present status and progress in 193 nm exposure

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出版历程

光刻曝光系统的现状及发展

1. 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所 应用光学国家重点实验室

通讯作者: 巩岩

English Abstract

Present status and progress in 193 nm exposure

1. State Key Laboratory of Applied Optics,Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,Chinese Academy of Sciences

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1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室