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Effect of GaInP and GaAsP inserted into waveguide/barrier interface on carrier leakage in InAlGaAs quantum well 808 nm laser diode

梦洁 付 海亮 董 志刚 贾 伟 贾 建 梁 并社 许

梦洁 付, 海亮 董, 志刚 贾, 伟 贾, 建 梁, 并社 许. Effect of GaInP and GaAsP inserted into waveguide/barrier interface on carrier leakage in InAlGaAs quantum well 808 nm laser diode[J]. Chinese Optics. doi: 10.37188/CO.2024-0006
Citation: 梦洁 付, 海亮 董, 志刚 贾, 伟 贾, 建 梁, 并社 许. Effect of GaInP and GaAsP inserted into waveguide/barrier interface on carrier leakage in InAlGaAs quantum well 808 nm laser diode[J]. Chinese Optics. doi: 10.37188/CO.2024-0006

Effect of GaInP and GaAsP inserted into waveguide/barrier interface on carrier leakage in InAlGaAs quantum well 808 nm laser diode

doi: 10.37188/CO.2024-0006
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出版历程
  • 收稿日期:  2024-02-27
  • 修回日期:  2024-05-03
  • 录用日期:  2024-05-06
  • 网络出版日期:  2024-05-17

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