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真空条件下不同波长固体激光烧蚀单晶硅的实验研究

齐立涛

齐立涛. 真空条件下不同波长固体激光烧蚀单晶硅的实验研究[J]. 中国光学(中英文), 2014, 7(3).
引用本文: 齐立涛. 真空条件下不同波长固体激光烧蚀单晶硅的实验研究[J]. 中国光学(中英文), 2014, 7(3).
JI Li-Chao. Different wavelength solid-state laser ablation of silicon wafer in vacuum[J]. Chinese Optics, 2014, 7(3).
Citation: JI Li-Chao. Different wavelength solid-state laser ablation of silicon wafer in vacuum[J]. Chinese Optics, 2014, 7(3).

真空条件下不同波长固体激光烧蚀单晶硅的实验研究

基金项目: 

国家自然科学基金资助项目(No.51205113);黑龙江省留学归国人员科学基金资助项目(No.LC2011C35);教育部留学回国人员科研启动基金项目;黑龙江科技学院引进人才资助项目(No.2012-03)

详细信息
    作者简介:

    齐立涛(1977- ),男,黑龙江绥化人,博士,讲师,硕士生导师,2000年于大庆石油学院获得学士学位,2003年于哈尔滨工业大学获得硕士学位,2010年于日本中部大学获得博士学位,主要从事激光和材料作用机理、激光加工和先进制造技术等方面的研究。qltlx@hotmail.com

Different wavelength solid-state laser ablation of silicon wafer in vacuum

  • 摘要: 通过倍频Nd:YAG固体激光的基波得到波长分别为532、355和266 nm的激光,研究了单晶硅(Si)对不同波长固体激光的吸收规律和3种不同波长激光在真空条件下烧蚀单晶Si的烧蚀特征。结果表明,单晶Si对波长为100~370 nm的紫外激光具有很好的吸收效果;在其他条件相同时,532 nm波长激光烧蚀单晶Si所需最低单脉冲能量(Ep=30 J)是355和266 nm波长激光烧蚀单晶Si所需最低单脉冲能量(Ep=15 J)的2倍;532、355和266 nm的激光烧蚀单晶Si的烧蚀阈值随着波长的变短而变小。

     

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