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光刻曝光系统的现状及发展

巩岩 张巍

巩岩, 张巍. 光刻曝光系统的现状及发展[J]. 中国光学, 2008, 1(1): 25-35.
引用本文: 巩岩, 张巍. 光刻曝光系统的现状及发展[J]. 中国光学, 2008, 1(1): 25-35.
GONG Yan, ZHANG Wei. Present status and progress in 193 nm exposure[J]. Chinese Optics, 2008, 1(1): 25-35.
Citation: GONG Yan, ZHANG Wei. Present status and progress in 193 nm exposure[J]. Chinese Optics, 2008, 1(1): 25-35.

光刻曝光系统的现状及发展

详细信息
    通讯作者: 巩岩
  • 中图分类号: TN305.7

Present status and progress in 193 nm exposure

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出版历程
  • 收稿日期:  2008-04-20
  • 修回日期:  2008-07-14
  • 刊出日期:  2008-12-01

光刻曝光系统的现状及发展

    通讯作者: 巩岩
  • 中图分类号: TN305.7

摘要: 投影曝光工艺是集成电路制造过程中的关键环节,曝光系统的工艺水平已成为衡量微电子制造技术的重要标志。重点介绍了目前193 nm光刻设备曝光系统的发展现状和趋势,以及为提高曝光质量所采用的相关分辨率增强技术;通过分析曝光系统的构成和其中的关键技术,探讨了国内研制相关曝光设备所面临的挑战。

English Abstract

巩岩, 张巍. 光刻曝光系统的现状及发展[J]. 中国光学, 2008, 1(1): 25-35.
引用本文: 巩岩, 张巍. 光刻曝光系统的现状及发展[J]. 中国光学, 2008, 1(1): 25-35.
GONG Yan, ZHANG Wei. Present status and progress in 193 nm exposure[J]. Chinese Optics, 2008, 1(1): 25-35.
Citation: GONG Yan, ZHANG Wei. Present status and progress in 193 nm exposure[J]. Chinese Optics, 2008, 1(1): 25-35.

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